قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFH14N100Q
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
رقم القطعة
IXFH14N100Q
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Last Time Buy
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
750 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 17102 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFH14N100Q
IXFH14N100Q مكونات الكترونية
IXFH14N100Q مبيعات
IXFH14N100Q المورد
IXFH14N100Q موزع
IXFH14N100Q جدول البيانات
IXFH14N100Q الصور
IXFH14N100Q سعر
IXFH14N100Q يعرض
IXFH14N100Q أقل سعر
IXFH14N100Q يبحث
IXFH14N100Q شراء
IXFH14N100Q رقاقة