قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFH15N100Q3

IXFH15N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
رقم القطعة
IXFH15N100Q3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
690W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.05 Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
6.5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 43636 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3 مكونات الكترونية
IXFH15N100Q3 مبيعات
IXFH15N100Q3 المورد
IXFH15N100Q3 موزع
IXFH15N100Q3 جدول البيانات
IXFH15N100Q3 الصور
IXFH15N100Q3 سعر
IXFH15N100Q3 يعرض
IXFH15N100Q3 أقل سعر
IXFH15N100Q3 يبحث
IXFH15N100Q3 شراء
IXFH15N100Q3 رقاقة