قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFH7N80
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
رقم القطعة
IXFH7N80
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 2.5mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 31252 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFH7N80
IXFH7N80 مكونات الكترونية
IXFH7N80 مبيعات
IXFH7N80 المورد
IXFH7N80 موزع
IXFH7N80 جدول البيانات
IXFH7N80 الصور
IXFH7N80 سعر
IXFH7N80 يعرض
IXFH7N80 أقل سعر
IXFH7N80 يبحث
IXFH7N80 شراء
IXFH7N80 رقاقة