قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFK170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
رقم القطعة
IXFK170N10P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™, PolarP2™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Bulk
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-264-3, TO-264AA
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
715W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
198nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6000pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 28486 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFK170N10P
IXFK170N10P مكونات الكترونية
IXFK170N10P مبيعات
IXFK170N10P المورد
IXFK170N10P موزع
IXFK170N10P جدول البيانات
IXFK170N10P الصور
IXFK170N10P سعر
IXFK170N10P يعرض
IXFK170N10P أقل سعر
IXFK170N10P يبحث
IXFK170N10P شراء
IXFK170N10P رقاقة