قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFK32N80Q3
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
رقم القطعة
IXFK32N80Q3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-264-3, TO-264AA
حزمة جهاز المورد
TO-264AA (IXFK)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1000W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
800V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
270 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
6.5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
140nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6940pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53252 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFK32N80Q3
IXFK32N80Q3 مكونات الكترونية
IXFK32N80Q3 مبيعات
IXFK32N80Q3 المورد
IXFK32N80Q3 موزع
IXFK32N80Q3 جدول البيانات
IXFK32N80Q3 الصور
IXFK32N80Q3 سعر
IXFK32N80Q3 يعرض
IXFK32N80Q3 أقل سعر
IXFK32N80Q3 يبحث
IXFK32N80Q3 شراء
IXFK32N80Q3 رقاقة