قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFL38N100Q2

IXFL38N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
رقم القطعة
IXFL38N100Q2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
ISOPLUS264™
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS264™
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
380W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
280 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 8mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 33266 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2 مكونات الكترونية
IXFL38N100Q2 مبيعات
IXFL38N100Q2 المورد
IXFL38N100Q2 موزع
IXFL38N100Q2 جدول البيانات
IXFL38N100Q2 الصور
IXFL38N100Q2 سعر
IXFL38N100Q2 يعرض
IXFL38N100Q2 أقل سعر
IXFL38N100Q2 يبحث
IXFL38N100Q2 شراء
IXFL38N100Q2 رقاقة