قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFT50N30Q3
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
رقم القطعة
IXFT50N30Q3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
حزمة جهاز المورد
TO-268
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
690W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
300V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
80 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
6.5V @ 4mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3165pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9385 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3 مكونات الكترونية
IXFT50N30Q3 مبيعات
IXFT50N30Q3 المورد
IXFT50N30Q3 موزع
IXFT50N30Q3 جدول البيانات
IXFT50N30Q3 الصور
IXFT50N30Q3 سعر
IXFT50N30Q3 يعرض
IXFT50N30Q3 أقل سعر
IXFT50N30Q3 يبحث
IXFT50N30Q3 شراء
IXFT50N30Q3 رقاقة