قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFV15N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
رقم القطعة
IXFV15N100P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™, PolarP2™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3, Short Tab
حزمة جهاز المورد
PLUS220
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
543W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
760 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
6.5V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
97nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5140pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 27911 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFV15N100P
IXFV15N100P مكونات الكترونية
IXFV15N100P مبيعات
IXFV15N100P المورد
IXFV15N100P موزع
IXFV15N100P جدول البيانات
IXFV15N100P الصور
IXFV15N100P سعر
IXFV15N100P يعرض
IXFV15N100P أقل سعر
IXFV15N100P يبحث
IXFV15N100P شراء
IXFV15N100P رقاقة