قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXFX60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
رقم القطعة
IXFX60N55Q2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HiPerFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
735W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
550V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
88 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 8mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6900pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9606 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXFX60N55Q2
IXFX60N55Q2 مكونات الكترونية
IXFX60N55Q2 مبيعات
IXFX60N55Q2 المورد
IXFX60N55Q2 موزع
IXFX60N55Q2 جدول البيانات
IXFX60N55Q2 الصور
IXFX60N55Q2 سعر
IXFX60N55Q2 يعرض
IXFX60N55Q2 أقل سعر
IXFX60N55Q2 يبحث
IXFX60N55Q2 شراء
IXFX60N55Q2 رقاقة