قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
رقم القطعة
IXTA12N65X2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
300 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 31667 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTA12N65X2
IXTA12N65X2 مكونات الكترونية
IXTA12N65X2 مبيعات
IXTA12N65X2 المورد
IXTA12N65X2 موزع
IXTA12N65X2 جدول البيانات
IXTA12N65X2 الصور
IXTA12N65X2 سعر
IXTA12N65X2 يعرض
IXTA12N65X2 أقل سعر
IXTA12N65X2 يبحث
IXTA12N65X2 شراء
IXTA12N65X2 رقاقة