قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTA2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
رقم القطعة
IXTA2N100P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Polar™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263 (IXTA)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
86W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.3nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
655pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 40536 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTA2N100P
IXTA2N100P مكونات الكترونية
IXTA2N100P مبيعات
IXTA2N100P المورد
IXTA2N100P موزع
IXTA2N100P جدول البيانات
IXTA2N100P الصور
IXTA2N100P سعر
IXTA2N100P يعرض
IXTA2N100P أقل سعر
IXTA2N100P يبحث
IXTA2N100P شراء
IXTA2N100P رقاقة