قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
رقم القطعة
IXTA60N10T
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchMV™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263 (IXTA)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
176W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 50µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
49nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2650pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 36322 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTA60N10T
IXTA60N10T مكونات الكترونية
IXTA60N10T مبيعات
IXTA60N10T المورد
IXTA60N10T موزع
IXTA60N10T جدول البيانات
IXTA60N10T الصور
IXTA60N10T سعر
IXTA60N10T يعرض
IXTA60N10T أقل سعر
IXTA60N10T يبحث
IXTA60N10T شراء
IXTA60N10T رقاقة