قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
رقم القطعة
IXTA6N100D2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
TO-263 (IXTA)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
Depletion Mode
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
-
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2650pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
-
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 30337 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTA6N100D2
IXTA6N100D2 مكونات الكترونية
IXTA6N100D2 مبيعات
IXTA6N100D2 المورد
IXTA6N100D2 موزع
IXTA6N100D2 جدول البيانات
IXTA6N100D2 الصور
IXTA6N100D2 سعر
IXTA6N100D2 يعرض
IXTA6N100D2 أقل سعر
IXTA6N100D2 يبحث
IXTA6N100D2 شراء
IXTA6N100D2 رقاقة