قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTC200N10T

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
رقم القطعة
IXTC200N10T
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchMV™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
ISOPLUS220™
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS220™
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
6.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
152nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9400pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 40605 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXTC200N10T
IXTC200N10T مكونات الكترونية
IXTC200N10T مبيعات
IXTC200N10T المورد
IXTC200N10T موزع
IXTC200N10T جدول البيانات
IXTC200N10T الصور
IXTC200N10T سعر
IXTC200N10T يعرض
IXTC200N10T أقل سعر
IXTC200N10T يبحث
IXTC200N10T شراء
IXTC200N10T رقاقة