قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTH11P50

IXTH11P50

MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
رقم القطعة
IXTH11P50
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
500V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4700pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 36330 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXTH11P50
IXTH11P50 مكونات الكترونية
IXTH11P50 مبيعات
IXTH11P50 المورد
IXTH11P50 موزع
IXTH11P50 جدول البيانات
IXTH11P50 الصور
IXTH11P50 سعر
IXTH11P50 يعرض
IXTH11P50 أقل سعر
IXTH11P50 يبحث
IXTH11P50 شراء
IXTH11P50 رقاقة