قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTH32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO-247
رقم القطعة
IXTH32N65X
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2205pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 43977 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTH32N65X
IXTH32N65X مكونات الكترونية
IXTH32N65X مبيعات
IXTH32N65X المورد
IXTH32N65X موزع
IXTH32N65X جدول البيانات
IXTH32N65X الصور
IXTH32N65X سعر
IXTH32N65X يعرض
IXTH32N65X أقل سعر
IXTH32N65X يبحث
IXTH32N65X شراء
IXTH32N65X رقاقة