قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
رقم القطعة
IXTH3N120
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-247-3
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 28586 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTH3N120
IXTH3N120 مكونات الكترونية
IXTH3N120 مبيعات
IXTH3N120 المورد
IXTH3N120 موزع
IXTH3N120 جدول البيانات
IXTH3N120 الصور
IXTH3N120 سعر
IXTH3N120 يعرض
IXTH3N120 أقل سعر
IXTH3N120 يبحث
IXTH3N120 شراء
IXTH3N120 رقاقة