قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTN22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
رقم القطعة
IXTN22N100L
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
الحزمة / القضية
SOT-227-4, miniBLOC
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
600 mOhm @ 11A, 20V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
270nC @ 15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7050pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
20V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 18056 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTN22N100L
IXTN22N100L مكونات الكترونية
IXTN22N100L مبيعات
IXTN22N100L المورد
IXTN22N100L موزع
IXTN22N100L جدول البيانات
IXTN22N100L الصور
IXTN22N100L سعر
IXTN22N100L يعرض
IXTN22N100L أقل سعر
IXTN22N100L يبحث
IXTN22N100L شراء
IXTN22N100L رقاقة