قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTP08N120P

IXTP08N120P

MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
رقم القطعة
IXTP08N120P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Polar™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
25 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 50µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
333pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 28007 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXTP08N120P
IXTP08N120P مكونات الكترونية
IXTP08N120P مبيعات
IXTP08N120P المورد
IXTP08N120P موزع
IXTP08N120P جدول البيانات
IXTP08N120P الصور
IXTP08N120P سعر
IXTP08N120P يعرض
IXTP08N120P أقل سعر
IXTP08N120P يبحث
IXTP08N120P شراء
IXTP08N120P رقاقة