قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
رقم القطعة
IXTP1R6N100D2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
Depletion Mode
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
1000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
-
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
645pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 16707 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 مكونات الكترونية
IXTP1R6N100D2 مبيعات
IXTP1R6N100D2 المورد
IXTP1R6N100D2 موزع
IXTP1R6N100D2 جدول البيانات
IXTP1R6N100D2 الصور
IXTP1R6N100D2 سعر
IXTP1R6N100D2 يعرض
IXTP1R6N100D2 أقل سعر
IXTP1R6N100D2 يبحث
IXTP1R6N100D2 شراء
IXTP1R6N100D2 رقاقة