قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTP32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
رقم القطعة
IXTP32N65X
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2205pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52981 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTP32N65X
IXTP32N65X مكونات الكترونية
IXTP32N65X مبيعات
IXTP32N65X المورد
IXTP32N65X موزع
IXTP32N65X جدول البيانات
IXTP32N65X الصور
IXTP32N65X سعر
IXTP32N65X يعرض
IXTP32N65X أقل سعر
IXTP32N65X يبحث
IXTP32N65X شراء
IXTP32N65X رقاقة