قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTQ52N30P

IXTQ52N30P

MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
رقم القطعة
IXTQ52N30P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
PolarHT™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد
TO-3P
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
300V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
66 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3490pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 20294 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXTQ52N30P
IXTQ52N30P مكونات الكترونية
IXTQ52N30P مبيعات
IXTQ52N30P المورد
IXTQ52N30P موزع
IXTQ52N30P جدول البيانات
IXTQ52N30P الصور
IXTQ52N30P سعر
IXTQ52N30P يعرض
IXTQ52N30P أقل سعر
IXTQ52N30P يبحث
IXTQ52N30P شراء
IXTQ52N30P رقاقة