قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
رقم القطعة
IXTT16N10D2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
حزمة جهاز المورد
TO-268
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
Depletion Mode
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
64 mOhm @ 8A, 0V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
-
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
225nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5700pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
0V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23954 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTT16N10D2
IXTT16N10D2 مكونات الكترونية
IXTT16N10D2 مبيعات
IXTT16N10D2 المورد
IXTT16N10D2 موزع
IXTT16N10D2 جدول البيانات
IXTT16N10D2 الصور
IXTT16N10D2 سعر
IXTT16N10D2 يعرض
IXTT16N10D2 أقل سعر
IXTT16N10D2 يبحث
IXTT16N10D2 شراء
IXTT16N10D2 رقاقة