قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
رقم القطعة
IXTT2N300P3HV
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 155°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
حزمة جهاز المورد
TO-268
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
3000V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
73nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1890pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 39796 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIXTT2N300P3HV
IXTT2N300P3HV مكونات الكترونية
IXTT2N300P3HV مبيعات
IXTT2N300P3HV المورد
IXTT2N300P3HV موزع
IXTT2N300P3HV جدول البيانات
IXTT2N300P3HV الصور
IXTT2N300P3HV سعر
IXTT2N300P3HV يعرض
IXTT2N300P3HV أقل سعر
IXTT2N300P3HV يبحث
IXTT2N300P3HV شراء
IXTT2N300P3HV رقاقة