قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTU1R4N60P
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
رقم القطعة
IXTU1R4N60P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
PolarHV™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TO-251
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 25µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.2nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
140pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53792 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTU1R4N60P
IXTU1R4N60P مكونات الكترونية
IXTU1R4N60P مبيعات
IXTU1R4N60P المورد
IXTU1R4N60P موزع
IXTU1R4N60P جدول البيانات
IXTU1R4N60P الصور
IXTU1R4N60P سعر
IXTU1R4N60P يعرض
IXTU1R4N60P أقل سعر
IXTU1R4N60P يبحث
IXTU1R4N60P شراء
IXTU1R4N60P رقاقة