قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTY4N60P
MOSFET N-CH TO-252
رقم القطعة
IXTY4N60P
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
PolarHV™
حالة الجزء
Last Time Buy
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
TO-252
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5.5V @ 100µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
635pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 36931 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTY4N60P
IXTY4N60P مكونات الكترونية
IXTY4N60P مبيعات
IXTY4N60P المورد
IXTY4N60P موزع
IXTY4N60P جدول البيانات
IXTY4N60P الصور
IXTY4N60P سعر
IXTY4N60P يعرض
IXTY4N60P أقل سعر
IXTY4N60P يبحث
IXTY4N60P شراء
IXTY4N60P رقاقة