قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IXTY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
رقم القطعة
IXTY8N65X2
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
TO-252
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 49830 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIXTY8N65X2
IXTY8N65X2 مكونات الكترونية
IXTY8N65X2 مبيعات
IXTY8N65X2 المورد
IXTY8N65X2 موزع
IXTY8N65X2 جدول البيانات
IXTY8N65X2 الصور
IXTY8N65X2 سعر
IXTY8N65X2 يعرض
IXTY8N65X2 أقل سعر
IXTY8N65X2 يبحث
IXTY8N65X2 شراء
IXTY8N65X2 رقاقة