SI2310-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
رقم القطعة
SI2310-TP
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
125 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
247pF @ 30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 41410 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI2310-TP
SI2310-TP مكونات الكترونية
SI2310-TP مبيعات
SI2310-TP المورد
SI2310-TP موزع
SI2310-TP جدول البيانات
SI2310-TP الصور
SI2310-TP سعر
SI2310-TP يعرض
SI2310-TP أقل سعر
SI2310-TP يبحث
SI2310-TP شراء
SI2310-TP رقاقة