قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI2333-TP

SI2333-TP

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
رقم القطعة
SI2333-TP
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
150 mOhm @ 500mA, 1.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1275pF @ 6V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 26510 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI2333-TP
SI2333-TP مكونات الكترونية
SI2333-TP مبيعات
SI2333-TP المورد
SI2333-TP موزع
SI2333-TP جدول البيانات
SI2333-TP الصور
SI2333-TP سعر
SI2333-TP يعرض
SI2333-TP أقل سعر
SI2333-TP يبحث
SI2333-TP شراء
SI2333-TP رقاقة