شراء Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

رقم القطعة

APT25GP120BDQ1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

POWER MOS 7®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Standard

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3

أقصى القوة

417W

حزمة جهاز المورد

TO-247 [B]

عكس وقت الاسترداد (trr)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

69A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

التيار - النبض المجمع (Icm)

90A

تبديل الطاقة

500µJ (on), 440µJ (off)

اجره البوابه

110nC

Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية

12ns/70ns

شرط الاختبار

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 45063 PCS

معلومات الاتصال