شراء Microsemi Corporation APT34F100B2 MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APT34F100B2

MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

رقم القطعة

APT34F100B2

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

POWER MOS 8™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-247-3 Variant

حزمة جهاز المورد

T-MAX™ [B2]

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1135W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

1000V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

380 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5V @ 2.5mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

305nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

9835pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 36380 PCS

معلومات الاتصال