شراء Microsemi Corporation APTGT75DA120D1G IGBT 1200V 110A 357W D1

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTGT75DA120D1G

IGBT 1200V 110A 357W D1

رقم القطعة

APTGT75DA120D1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Discontinued at Digi-Key

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

أقصى القوة

357W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

110A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

4mA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 17302 PCS

معلومات الاتصال