شراء Microsemi Corporation APTGT75H60T1G POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTGT75H60T1G

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1

رقم القطعة

APTGT75H60T1G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SP1

أقصى القوة

250W

إعدادات

Full Bridge Inverter

حزمة جهاز المورد

SP1

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

600V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

250µA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41248 PCS

معلومات الاتصال