شراء Microsemi Corporation APTGTQ200A65T3G POWER MODULE - IGBT

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTGTQ200A65T3G

POWER MODULE - IGBT

رقم القطعة

APTGTQ200A65T3G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

483W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

SP3F

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

200A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

650V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

200µA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 53482 PCS

معلومات الاتصال