شراء Microsemi Corporation APTM50H10FT3G MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

APTM50H10FT3G

MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

رقم القطعة

APTM50H10FT3G

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Microsemi Corporation

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

SP3

أقصى القوة

312W

حزمة جهاز المورد

SP3

نوع فيت

4 N-Channel (H-Bridge)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

500V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

37A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

120 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

5V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

96nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4367pF @ 25V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10299 PCS

معلومات الاتصال