PMPB29XNE,115
MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
رقم القطعة
PMPB29XNE,115
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
6-DFN2020MD (2x2)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
900mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1150pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±12V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 34829 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لPMPB29XNE,115
PMPB29XNE,115 مكونات الكترونية
PMPB29XNE,115 مبيعات
PMPB29XNE,115 المورد
PMPB29XNE,115 موزع
PMPB29XNE,115 جدول البيانات
PMPB29XNE,115 الصور
PMPB29XNE,115 سعر
PMPB29XNE,115 يعرض
PMPB29XNE,115 أقل سعر
PMPB29XNE,115 يبحث
PMPB29XNE,115 شراء
PMPB29XNE,115 رقاقة