PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN
رقم القطعة
PMXB43UNEZ
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
3-XDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
DFN1010D-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
54 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
900mV @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
551pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.5V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9668 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لPMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ مكونات الكترونية
PMXB43UNEZ مبيعات
PMXB43UNEZ المورد
PMXB43UNEZ موزع
PMXB43UNEZ جدول البيانات
PMXB43UNEZ الصور
PMXB43UNEZ سعر
PMXB43UNEZ يعرض
PMXB43UNEZ أقل سعر
PMXB43UNEZ يبحث
PMXB43UNEZ شراء
PMXB43UNEZ رقاقة