قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
PSMN069-100YS,115

PSMN069-100YS,115

MOSFET N-CH LFPAK
رقم القطعة
PSMN069-100YS,115
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SC-100, SOT-669
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
72.4 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
645pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52617 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لPSMN069-100YS,115
PSMN069-100YS,115 مكونات الكترونية
PSMN069-100YS,115 مبيعات
PSMN069-100YS,115 المورد
PSMN069-100YS,115 موزع
PSMN069-100YS,115 جدول البيانات
PSMN069-100YS,115 الصور
PSMN069-100YS,115 سعر
PSMN069-100YS,115 يعرض
PSMN069-100YS,115 أقل سعر
PSMN069-100YS,115 يبحث
PSMN069-100YS,115 شراء
PSMN069-100YS,115 رقاقة