شراء NXP USA Inc. BUK9E4R4-80E,127 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BUK9E4R4-80E,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

رقم القطعة

BUK9E4R4-80E,127

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

I2PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

349W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

80V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

4.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.1V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

123nC @ 5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

17130pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±10V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 10547 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

BUK9107-40ATC,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK