شراء NXP USA Inc. PHB119NQ06T,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PHB119NQ06T,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

رقم القطعة

PHB119NQ06T,118

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

حزمة جهاز المورد

D2PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

200W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

55V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

7.1 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

53nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2820pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 22582 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK