شراء NXP USA Inc. PMGD8000LN,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PMGD8000LN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

رقم القطعة

PMGD8000LN,115

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

TrenchMOS™

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

أقصى القوة

200mW

حزمة جهاز المورد

6-TSSOP

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

125mA

Rds On (Max) @ Id، Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.5V @ 100µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

18.5pF @ 5V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 21724 PCS

معلومات الاتصال