شراء NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

PSMN8R5-108ESQ

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

رقم القطعة

PSMN8R5-108ESQ

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

NXP USA Inc.

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

I2PAK

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

263W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

108V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

100A (Tj)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 1mA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

111nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

5512pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 48379 PCS

معلومات الاتصال