قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
2SJ665-DL-E

2SJ665-DL-E

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
رقم القطعة
2SJ665-DL-E
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
SMP-FD
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.6V @ 1mA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200pF @ 20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 38886 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية ل2SJ665-DL-E
2SJ665-DL-E مكونات الكترونية
2SJ665-DL-E مبيعات
2SJ665-DL-E المورد
2SJ665-DL-E موزع
2SJ665-DL-E جدول البيانات
2SJ665-DL-E الصور
2SJ665-DL-E سعر
2SJ665-DL-E يعرض
2SJ665-DL-E أقل سعر
2SJ665-DL-E يبحث
2SJ665-DL-E شراء
2SJ665-DL-E رقاقة