FDB047N10
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
رقم القطعة
FDB047N10
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
PowerTrench®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
210nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15265pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52465 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFDB047N10
FDB047N10 مكونات الكترونية
FDB047N10 مبيعات
FDB047N10 المورد
FDB047N10 موزع
FDB047N10 جدول البيانات
FDB047N10 الصور
FDB047N10 سعر
FDB047N10 يعرض
FDB047N10 أقل سعر
FDB047N10 يبحث
FDB047N10 شراء
FDB047N10 رقاقة