شراء ON Semiconductor FDMS3660S-F121 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

رقم القطعة

FDMS3660S-F121

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

PowerTrench®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

أقصى القوة

حزمة جهاز المورد

Power56

نوع فيت

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

13A, 30A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2.7V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

29nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1765pF @ 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 39683 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

FDMS003N08C

FET ENGR DEV-NOT REL