شراء ON Semiconductor FJV3112RMTF TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FJV3112RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

رقم القطعة

FJV3112RMTF

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

أقصى القوة

200mW

حزمة جهاز المورد

SOT-23-3 (TO-236)

نوع الترانزستور

NPN - Pre-Biased

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

100mA

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

40V

تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

100nA (ICBO)

كسب التيار المستمر (hFE) (الحد الأدنى) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

التردد - الانتقال

250MHz

المقاوم - القاعدة (R1)

47 kOhms

المقاوم - قاعدة الباعث (R2)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 14337 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

FJV3101RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3