قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQAF33N10

FQAF33N10

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
رقم القطعة
FQAF33N10
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
SC-94
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
52 mOhm @ 12.9A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
51nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±25V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 11652 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لFQAF33N10
FQAF33N10 مكونات الكترونية
FQAF33N10 مبيعات
FQAF33N10 المورد
FQAF33N10 موزع
FQAF33N10 جدول البيانات
FQAF33N10 الصور
FQAF33N10 سعر
FQAF33N10 يعرض
FQAF33N10 أقل سعر
FQAF33N10 يبحث
FQAF33N10 شراء
FQAF33N10 رقاقة