FQB25N33TM
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
رقم القطعة
FQB25N33TM
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
330V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
230 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75nC @ 15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2010pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 29268 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQB25N33TM
FQB25N33TM مكونات الكترونية
FQB25N33TM مبيعات
FQB25N33TM المورد
FQB25N33TM موزع
FQB25N33TM جدول البيانات
FQB25N33TM الصور
FQB25N33TM سعر
FQB25N33TM يعرض
FQB25N33TM أقل سعر
FQB25N33TM يبحث
FQB25N33TM شراء
FQB25N33TM رقاقة