قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FQU2N90TU
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
رقم القطعة
FQU2N90TU
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
QFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
I-PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
900V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 53388 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لFQU2N90TU
FQU2N90TU مكونات الكترونية
FQU2N90TU مبيعات
FQU2N90TU المورد
FQU2N90TU موزع
FQU2N90TU جدول البيانات
FQU2N90TU الصور
FQU2N90TU سعر
FQU2N90TU يعرض
FQU2N90TU أقل سعر
FQU2N90TU يبحث
FQU2N90TU شراء
FQU2N90TU رقاقة