شراء ON Semiconductor HGTP2N120CN IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

HGTP2N120CN

IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

رقم القطعة

HGTP2N120CN

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

ON Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Tube

نوع الإدخال

Standard

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-220-3

أقصى القوة

104W

حزمة جهاز المورد

TO-220AB

عكس وقت الاسترداد (trr)

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

13A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

نوع اي جي بي تي

NPT

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2.6A

التيار - النبض المجمع (Icm)

20A

تبديل الطاقة

96µJ (on), 355µJ (off)

اجره البوابه

30nC

Td (تشغيل/إيقاف) عند 25 درجة مئوية

25ns/205ns

شرط الاختبار

960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 30610 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

HGTP10N120BN

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB